SVF13N50T Просмотр технического описания (PDF) - Unspecified
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SVF13N50T Datasheet PDF : 9 Pages
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SVF13N50T/F/PN 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
TC=25°C
TC=100°C
漏极脉冲电流
耗散功率（TC=25°C）
- 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
EAS
TJ
Tstg
SVF13N50T
190
1.52
参数范围
SVF13N50F
500
±30
13
10
52
51
0.41
823.75
-55～+150
-55～+150
SVF13N50PN
218
1.74
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
SVF13N50T
0.66
62.5
参数范围
SVF13N50F
2.45
120
SVF13N50PN
0.57
50
电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BBVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0V，ID=250µA
VDS=500V，VGS=0V
VGS=±30V，VDS=0V
VGS= VDS，ID=250µA
VGS=10V，ID=6.5A
VDS=25V，VGS=0V，
f=1.0MHZ
VDD=250V，ID=13A，
RG=4.7Ω，VGS=10V
(注 2，3)
VDS=400V，ID=13A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值
500
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.44
1436
183
4.76
37.33
76.67
79.67
54.00
23.83
7.79
7.86
最大值
--
1
±100
4.0
0.52
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
A
A
W
mJ
°C
°C
单位
°C/W
°C/W
单位
V
µA
nA
V
Ω
pF
ns
nC
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号：11
2011.09.01
共9页 第2页
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