MMBTA06(2018) Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

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MMBTA06
(Rev.:2018)

SMD High Voltage NPN Transistors

Diotec Semiconductor Germany  

Characteristics

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

IE = 0, VCB = 80 V

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

IC = 0, VEB = 4 V

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)

IC = 100 mA, IB = 10 mA

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)

IC = 100 mA, IB = 10 mA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz

Thermal resistance junction – ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

(Tj = 25°C) Min.

MMBTA06

Kennwerte

Typ.

Max.

ICBO

–

–

100 nA

IEBO

–

–

100 nA

VCEsat

–

–

250 mV

VBEsat

–

–

1.2 V

fT

100 MHz

–

–

RthA

< 420 K/W 2)

120

[%]

100

80

60

40

20

Ptot

0

0 TA 50

100

150 [°C]

Power dissipation versus ambient temperature2)

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

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