MMBTA06(2018) Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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MMBTA06 Datasheet PDF : 2 Pages
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MMBTA06
MMBTA06
SMD High Voltage NPN Transistors
SMD Hochspannungs-NPN-Transistoren
IC = 500 mA
hFE > 100
Tjmax = 150°C
Version 2018-04-27
SOT-23
(TO-236)
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1
2
1.9±0.1
1.1+0.1
-0.2
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
RoHS
Pb
3000 / 7“
0.01 g
1=B 2=E 3=C
Dimensions - Maße [mm]
Case material
Solder & assembly conditions
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
VCEO = 80 V
Ptot = 250 mW
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
Type
Code
1GM
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MMBTA56
Maximum ratings 2)
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
Base current – Basisstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
DC
VCEO
VCBO
VEBO
Ptot
IC
IB
IBM
Tj
TS
Grenzwerte 2)
80 V
80 V
4V
250 mW 3)
500 mA
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 4)
VCE = 1 V
IC = 10 mA
IC = 100 mA
Tj = 25°C Min.
hFE
100
100
Kennwerte
Typ.
Max.
–
–
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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