SII150N12 Просмотр технического описания (PDF) - Sirectifier Electronics
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
SII150N12 Datasheet PDF : 7 Pages
| |||
SII150N12
NPT IGBT Modules
T yp. output characteris tics
IC = f (VCE )
parameter: tp = 80 µs , Tj = 25 °C
300
A
260
17V
15V
IC 240
13V
220
11V
9V
200
7V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
V
5
VCE
T yp. trans fer characteris tics
IC = f (VGE)
parameter: tp = 80 µs , V C E = 20 V
300
A
260
IC 240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 2 4 6 8 10 V 14
VGE
T yp. output characteris tics
IC = f (VCE )
parameter: tp = 80 µs , Tj = 125 °C
300
A
260
17V
15V
IC 240
13V
220
11V
9V
200
7V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
V
5
VCE
SirectifierR
Share Link: 