DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

13002S Просмотр технического описания (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
13002S
Hwdz
Jilin Sino-Microelectronics Hwdz
13002S Datasheet PDF : 6 Pages
1 2 3 4 5 6
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
3DD13002S
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES
600
V
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageIB=0VCEO
400
V
发射极基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector CurrentDC
IC
1.2
A
最大集电极脉冲电流
Collector Currentpulse
ICP
2.4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PC
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126(S))
PC
20
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
贮存温度
Storage Temperature
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
Tstg
-55~+150
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max) Unit
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=600V, IE=0
400
460
-
V
600
800
-
V
9
15
-
V
-
-
5
μA
ICEO
VCE=400V,IB=0
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
-
10
μA
-
-
5
μA
hFE
VCE(sat)
VCE=10V, IC=100mA
IC=0.5A, IB=0.1A
8
20
40
-
-
0.25
0.8
V
VBE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
-
0.9
1.2
V
tf
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
-
-
0.7
μS
ts
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
-
-
4
μS
fT
VCE=10V, Ic=0.1A
4
-
-
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
符 号 最小值 最大值 单 位
Parameter
Symbol Value(min) Value(max) Unit
结到环境的热阻 TO-92
Thermal Resistance Junction Case TO-92
Rth(j-a)
-
125
/W
结到管壳的热阻 TO-126(S)
Thermal Resistance Junction Case TO-126(S)
Rth(j-c)
-
6.25
/W
版本:200910F
2/6

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]