Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
PTFA220121MV4R1KV4XUMA1 PTFA220121M PTFA220121MV4R1K
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
12 W, 28 V,
700
–
2200
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFA220121M-V4-R1K PTFA220121M PTFA220121MV4R1K
Cree, Inc
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
12 W, 28 V,
700
–
2200
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFA220041MV4R1K PTFA220041M PTFA220041MV4R1KXUMA1
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
4 W, 28 V,
700
–
2200
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFA220121M
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
12 W,
700
–
2200
MHz
(Rev - 2010)
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFA220041M
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
4 W,
700
–
2200
MHz
(Rev - 2010)
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFA220081M
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
8 W,
700
–
2200
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST0822-002PP
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
RF
Power
Field
Effect
Transistor
LDMOS
, 800—
2200
MHz
, 2W, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 28 V, 900 – 2
700
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFB201402FC-V1-R250 PTFB201402FC-V1-R0 PTFB201402FC PTFB201402FCV1R0 PTFB201402FCV1R250
Cree, Inc
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
140 W, 28 V, 2010 – 2025
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFC270101M-V1-R1K PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Cree, Inc
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 28 V, 900 – 2
700
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFC270051MV2R1KXUMA1 PTFC270051M PTFC270051MV2R1K
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
5 W, 28 V, 900 – 2
700
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 28 V, 900 – 2
700
MHz
(Rev - 2015)
вид
Номер в каталоге(s) :
PXAC243502FVV1R250XTMA1 PXAC243502FVV1R0XTMA1 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R0 PXAC243502FVV1R250
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
350 W, 28 V, 2300 – 2400
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PXAC243502FV-V1-R250 PXAC243502FV-V1-R0 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R0 PXAC243502FVV1R250
Cree, Inc
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
350 W, 28 V, 2300 – 2400
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFC270051M-V2-R1K PTFC270051M PTFC270051MV2R1K
Cree, Inc
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
5 W, 28 V, 900 – 2
700
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PXAC243502FVV1R250XTMA1 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R250
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
350 W, 28 V, 2300 – 2400
MHz
(Rev - 2015)
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFB201402FCV1R250XTMA1 PTFB201402FCV1R0XTMA1 PTFB201402FC PTFB201402FCV1R0 PTFB201402FCV1R250
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
140 W, 28 V, 2010 – 2025
MHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PTF180101S
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
LDMOS
RF
Power
Field
Effect
Transistor
(Rev - 2007)
вид
Номер в каталоге(s) :
PTF180101S PTF180101
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
LDMOS
RF
Power
Field
Effect
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
PTFB213004FV2R250XTMA1 PTFB213004FV2R0XTMA1 PTFB213004F PTFB213004FV2R0 PTFB213004FV2R250
Infineon Technologies
Компоненты Описание :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
300 W, 2110 – 2170
MHz
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetq.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]