Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
ADS6608A4A ADS6608A4A-75
A-Data Technology
Компоненты Описание :
133
Mhz
LVTTL
synchronous
DRAM
, 2M x 8
bit
x 4
banks
/
400mil
54pin
TSOPII
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S640832D-TC/L80 K4S640832D-TC K4S640832D-TC/L75 K4S640832D-TC/L1L K4S640832D-TC/L1H K4S640832D-TC/L10 K4S640832D
Samsung
Компоненты Описание :
64M
bit
S
DRAM
2M x 8
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S640832E K4S640832E-TC/L1H K4S640832E-TC/L1L K4S640832E-TC/L75 K4S640832E-TC75 K4S640832E-TC1H K4S640832E-TC1L K4S640832E-TL75 K4S640832E-TL1H K4S640832E-TL1L
Samsung
Компоненты Описание :
64M
bit
S
DRAM
2M x 8
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S640832C-TC K4S640832C K4S640832C-TC/L70 K4S640832C-TC/L80 K4S640832C-TC/L1H K4S640832C-TC/L1L K4S640832C-TC/L10
Samsung
Компоненты Описание :
64M
bit
S
DRAM
2M x 8
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S640832F K4S640832F-TC/L75 K4S640832F-TC75 K4S640832F-TL75
Samsung
Компоненты Описание :
64M
bit
S
DRAM
2M x 8
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
VDS7616A4A-55 VDS7616A4A-6 VDS7616A4A-7 VDS7616A4A
A-Data Technology
Компоненты Описание :
synchronous
DRAM
2M x 16
bit
x 4
banks
вид
Номер в каталоге(s) :
ADS7616A4A ADS7616A4A-55 ADS7616A4A-6 ADS7616A4A-7
A-Data Technology
Компоненты Описание :
synchronous
DRAM
2M x 16
bit
x 4
banks
вид
Номер в каталоге(s) :
M12L128168A M12L128168A-5TIG M12L128168A-5BIG M12L128168A-6TIG M12L128168A-6BIG M12L128168A-7TIG M12L128168A-7BIG
[Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Компоненты Описание :
2M x 16
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
вид
Номер в каталоге(s) :
VDS7616A4A-55 VDS7616A4A-6 VDS7616A4A-7
Unspecified
Компоненты Описание :
synchronous
DRAM
- 2M x 16
bit
x 4
banks
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S643232C V62C5181024LL-70P K4S643232C-TC10 K4S643232C-TC55 K4S643232C-TC60 K4S643232C-TC70 K4S643232C-TC80 K4S643232C-TL10 K4S643232C-TL55 K4S643232C-TL60
Samsung
Компоненты Описание :
2M x 32 S
DRAM
512K x 32
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
HY57V658020B HY57V658020BLT HY57V658020BLTC HY57V658020BLTC-10 HY57V658020BLTC-10P HY57V658020BLTC-10S HY57V658020BLTC-75 HY57V658020BLTC-8 HY57V658020BTC HY57V658020BTC-10
Hynix Semiconductor
Компоненты Описание :
4
banks
x 2M x 8
bit
synchronous
DRAM
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S560432D K4S560432D-TC K4S560432D-TC/L1H K4S560432D-TC/L1L K4S560432D-TC/L75 K4S560432D-TC/L7C K4S560432D-TC1H K4S560432D-TC1L K4S560432D-TC75 K4S560432D-TC7C
Samsung
Компоненты Описание :
16M x 4
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
PD45128163 PD45128441 PD45128841 UPD45128163 UPD45128163G5-A10-9JF UPD45128163G5-A75-9JF UPD45128163G5-A75A-9JF UPD45128163G5-A75L-9JF UPD45128163G5-A80-9JF UPD45128163G5-A80L-9JF
Elpida Memory, Inc
Компоненты Описание :
128M-
bit
synchronous
DRAM
4-bank,
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
PD45128168G5-A10-9JF PD45128168G5-A75-9JF PD45128168G5-A75A-9JF PD45128168G5-A80-9JF
Elpida Memory, Inc
Компоненты Описание :
128M-
bit
synchronous
DRAM
4-bank,
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
D4564163G5 D4564441G5 D4564841G5 UPD4564163 UPD4564163G5-A10-9JF UPD4564163G5-A10B-9JF UPD4564163G5-A80-9JF UPD4564441 UPD4564441G5-A10-9JF UPD4564441G5-A10B-9JF
Elpida Memory, Inc
Компоненты Описание :
64M-
bit
synchronous
DRAM
4-bank,
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
UPD45128441G5-A80-9J
Elpida Memory, Inc
Компоненты Описание :
128M-
bit
synchronous
DRAM
4-bank,
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
UPD4564323 UPD4564323G5-A10-9JH UPD4564323G5-A10B-9JH UPD4564323G5-A60-9JH UPD4564323G5-A70-9JH UPD4564323G5-A80-9JH UPD4564323G5-A70-9JF
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
64M-
bit
synchronous
DRAM
4-bank,
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
UPD45128163 UPD45128163G5-A10 UPD45128163G5-A10-9JF UPD45128163G5-A10B UPD45128163G5-A10B-9JF UPD45128163G5-A75 UPD45128163G5-A75-9JF UPD45128163G5-A80 UPD45128163G5-A80-9JF UPD45128441
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
128M-
bit
synchronous
DRAM
4-bank,
LVTTL
вид
Номер в каталоге(s) :
HM5264165F-75 HM5264165F-A60 HM5264165F-B60 HM5264165FLTT-75 HM5264165FLTT-A60 HM5264165FLTT-B60 HM5264165FTT-75 HM5264165FTT-A60 HM5264165FTT-B60 HM5264405F-75
Hitachi -> Renesas Electronics
Компоненты Описание :
64M
LVTTL
interface S
DRAM
133
Mhz
/100
Mhz
вид
Номер в каталоге(s) :
K4S560832B K4S560832B-TC K4S560832B-TC/L75 K4S560832B-TC/L1H K4S560832B-TC/L1L
Samsung
Компоненты Описание :
256M
bit
S
DRAM
8M x 8
bit
x 4
banks
synchronous
DRAM
LVTTL
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetq.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]