Memory Ics
BR24C08 / BR24C08F / BR24C08FJ / BR24C08FV / BR24C16/ BR24C16F /
BR24C16FJ / BR24C16FV / BR24E16 / BR24E16F / BR24E16FJ / BR24E16FV
zElectrical characteristics
DC characteristics (Unless otherwise noted, Ta=−40∼85°C, VCC=2.7∼5.5V)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
"HIGH" input voltage
VIH
0.7VCC
−
−
V
"LOW" input voltage
"LOW" output voltage
Input leakage current
Output leakage current
operating current
VIL
−
−
0.3VCC
V
VOL
−
−
0.4
V
ILI
−1
−
1
µA
ILO
−1
−
1
µA
ICC
−
−
3.0
mA
Standby current
ISB
−
−
3.0
µA
This product is not designed for protection against radioactive rays.
Conditions
−
−
IOL=3.0mA(SDA)
VIN=0V~VCC
VOUT=0V~VCC
VCC=5.5V, fSCL=400kHz
VCC=5.5V, SDA SCL=VCC
A0, A1, A2=GND, WP=GND
Operating timing characteristics (Unless otherwise noted, Ta=−40∼85°C, VCC=2.7∼5.5V)
Parameter
Vcc=5V±10%
Vcc=3V±10%
Symbol
Unit
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
SCL frequency
fSCL
−
− 400 −
− 100 kHz
Dataclock "HIGH" time
tHIGH
0.6 −
− 4.0 −
−
µs
Dataclock "LOW" time
tLOW
1.2 −
− 4.7 −
−
µs
SDA / SCL rise time
tR
−
− 0.3 −
− 1.0
µs
SDA / SCL fall time
tF
−
− 0.3 −
− 0.3
µs
Start condition hold time
tHD : STA 0.6
−
− 4.0 −
−
µs
Start condition setup time
tSU : STA 0.6
−
− 4.7 −
−
µs
Input data hold time
tHD : DAT
0
−
−
0
−
−
ns
Input data setup time
tSU : DAT 100 −
− 250 −
−
ns
Output data delay time
tPD
0.1 − 0.9 0.2 − 3.5
µs
Output data hold time
tDH
0.1 −
− 0.2 −
−
µs
Stop condition setup time
tSU : STO 0.6
−
− 4.7 −
−
µs
Bus open time before start or transfer
tBUF
1.2 −
− 4.7 −
−
µs
Internal write cycle time
tWR
−
−
10
−
−
10
ms
Noise erase valid time (SDA/SCL pins)
tI
−
− 0.05 −
− 0.1
µs