NE321000 Просмотр технического описания (PDF) - NEC => Renesas Technology

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

NE321000

C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

NEC => Renesas Technology 

CHIP DIMENSIONS (Unit: µm)

38

56

27

58

Drain

NE321000

Gate

61

56

38

26

300

Thickness = 140 µm

: BONDING AREA

Data Sheet P14270EJ2V0DS00

7

Share Link: